IXYB82N120C3H1,920-1003,IXYS IXYB82N120C3H1 N沟道 IGBT, 164 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 PLUS264封装 ,IXYS

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IXYS IXYB82N120C3H1 N沟道 IGBT, 164 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 PLUS264封装

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IXYB82N120C3H1产品详细信息

IXYS 的 XPT? 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。

高功率密度和低 VCE(sat)
方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压
短路容量，确保 10usec
正向通态电压温度系数
可选 Co-Pack Sonic-FRD? 或 HiPerFRED? 二极管
国际标准和专有高电压封装