AUIRGDC0250,907-4930,Infineon AUIRGDC0250 N沟道 IGBT, 141 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
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AUIRGDC0250
Infineon AUIRGDC0250 N沟道 IGBT, 141 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
AUIRGDC0250
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
907-4930
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
AUIRGDC0250产品详细信息
单 IGBT 超过 21A,Infineon
优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT
AUIRGDC0250产品技术参数
安装类型
通孔
长度
11mm
尺寸
11 x 4.74 x 15mm
额定能量
16mJ
封装类型
TO-220
高度
15mm
晶体管配置
单
开关速度
1MHz
宽度
4.74mm
通道类型
N
引脚数目
3
栅极电容
3804pF
最大功率耗散
543 W
最大集电极-发射极电压
1200 V
最大连续集电极电流
141 A
最大栅极发射极电压
±20V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
AUIRGDC0250相关搜索
安装类型 通孔
Infineon 安装类型 通孔
IGBT 晶体管 安装类型 通孔
Infineon IGBT 晶体管 安装类型 通孔
长度 11mm
Infineon 长度 11mm
IGBT 晶体管 长度 11mm
Infineon IGBT 晶体管 长度 11mm
尺寸 11 x 4.74 x 15mm
Infineon 尺寸 11 x 4.74 x 15mm
IGBT 晶体管 尺寸 11 x 4.74 x 15mm
Infineon IGBT 晶体管 尺寸 11 x 4.74 x 15mm
额定能量 16mJ
Infineon 额定能量 16mJ
IGBT 晶体管 额定能量 16mJ
Infineon IGBT 晶体管 额定能量 16mJ
封装类型 TO-220
Infineon 封装类型 TO-220
IGBT 晶体管 封装类型 TO-220
Infineon IGBT 晶体管 封装类型 TO-220
高度 15mm
Infineon 高度 15mm
IGBT 晶体管 高度 15mm
Infineon IGBT 晶体管 高度 15mm
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单
开关速度 1MHz
Infineon 开关速度 1MHz
IGBT 晶体管 开关速度 1MHz
Infineon IGBT 晶体管 开关速度 1MHz
宽度 4.74mm
Infineon 宽度 4.74mm
IGBT 晶体管 宽度 4.74mm
Infineon IGBT 晶体管 宽度 4.74mm
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3
栅极电容 3804pF
Infineon 栅极电容 3804pF
IGBT 晶体管 栅极电容 3804pF
Infineon IGBT 晶体管 栅极电容 3804pF
最大功率耗散 543 W
Infineon 最大功率耗散 543 W
IGBT 晶体管 最大功率耗散 543 W
Infineon IGBT 晶体管 最大功率耗散 543 W
最大集电极-发射极电压 1200 V
Infineon 最大集电极-发射极电压 1200 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 1200 V
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最大连续集电极电流 141 A
Infineon 最大连续集电极电流 141 A
IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 141 A
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最高工作温度 +150 °C
Infineon 最高工作温度 +150 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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AUIRGDC0250产品技术参数资料
AUIRGDC0250, N-Channel IGBT
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