STGD5H60DF,906-2798,STMicroelectronics STGD5H60DF N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK封装 ,STMicroelectronics
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STGD5H60DF
STMicroelectronics STGD5H60DF N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号:
STGD5H60DF
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
906-2798
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STGD5H60DF产品详细信息
IGBT 分立,STMicroelectronics
STGD5H60DF产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.6mm
尺寸
6.6 x 6.2 x 2.4mm
额定能量
221μJ
封装类型
DPAK
高度
2.4mm
晶体管配置
单
宽度
6.2mm
通道类型
N
引脚数目
3
栅极电容
855pF
最大功率耗散
83 W
最大集电极-发射极电压
600 V
最大连续集电极电流
10 A
最大栅极发射极电压
±20V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
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长度 6.6mm
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IGBT 晶体管 长度 6.6mm
STMicroelectronics IGBT 晶体管 长度 6.6mm
尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
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IGBT 晶体管 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
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额定能量 221μJ
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IGBT 晶体管 额定能量 221μJ
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封装类型 DPAK
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IGBT 晶体管 封装类型 DPAK
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高度 2.4mm
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晶体管配置 单
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宽度 6.2mm
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IGBT 晶体管 宽度 6.2mm
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通道类型 N
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引脚数目 3
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栅极电容 855pF
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最大功率耗散 83 W
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最大集电极-发射极电压 600 V
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最大连续集电极电流 10 A
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IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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STGD5H60DF产品技术参数资料
STGB5H60DF, STGD5H60DF, STGF5H60DF, STGP5H60DF, Trench Gate Field-Stop IGBT, H Series 600V, 5A High Speed
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