STGF5H60DF,906-2791,STMicroelectronics STGF5H60DF N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220FP封装 ,STMicroelectronics
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STGF5H60DF
STMicroelectronics STGF5H60DF N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
制造商零件编号:
STGF5H60DF
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
906-2791
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STGF5H60DF产品详细信息
IGBT 分立,STMicroelectronics
STGF5H60DF产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.4mm
尺寸
10.4 x 4.6 x 16.4mm
额定能量
221μJ
封装类型
TO-220FP
高度
16.4mm
晶体管配置
单
宽度
4.6mm
通道类型
N
引脚数目
3
栅极电容
855pF
最大功率耗散
24 W
最大集电极-发射极电压
600 V
最大连续集电极电流
10 A
最大栅极发射极电压
±20V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
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STMicroelectronics 安装类型 通孔
IGBT 晶体管 安装类型 通孔
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长度 10.4mm
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IGBT 晶体管 长度 10.4mm
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尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm
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IGBT 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm
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额定能量 221μJ
STMicroelectronics 额定能量 221μJ
IGBT 晶体管 额定能量 221μJ
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封装类型 TO-220FP
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IGBT 晶体管 封装类型 TO-220FP
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高度 16.4mm
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IGBT 晶体管 高度 16.4mm
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晶体管配置 单
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IGBT 晶体管 晶体管配置 单
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宽度 4.6mm
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IGBT 晶体管 宽度 4.6mm
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通道类型 N
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引脚数目 3
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IGBT 晶体管 引脚数目 3
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栅极电容 855pF
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最大功率耗散 24 W
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IGBT 晶体管 最大功率耗散 24 W
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最大集电极-发射极电压 600 V
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最大连续集电极电流 10 A
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IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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STGF5H60DF产品技术参数资料
STGB5H60DF, STGD5H60DF, STGF5H60DF, STGP5H60DF, Trench Gate Field-Stop IGBT, H Series 600V, 5A High Speed
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