STGB30M65DF2,906-2785,STMicroelectronics STGB30M65DF2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 D2PAK封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STGB30M65DF2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
STGB30M65DF2
库存编号：
906-2785
STMicroelectronics STGB30M65DF2
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STGB30M65DF2产品详细信息

IGBT 分立，STMicroelectronics

STGB30M65DF2产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 9.35 x 4.6mm  
  额定能量  2.03mJ  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.6mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.35mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  栅极电容  2490pF  
  最大功率耗散  258 W  
  最大集电极-发射极电压  650 V  
  最大连续集电极电流  60 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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