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安装类型	通孔
长度	15.5mm
尺寸	15.5 x 4.5 x 20mm
额定能量	1.7mJ
封装类型	TO-3P
高度	20mm
晶体管配置	单
开关速度	0.38μs
宽度	4.5mm
通道类型	N
引脚数目	3
栅极电容	4800pF
最大功率耗散	394 W
最大集电极-发射极电压	600 V
最大连续集电极电流	80 A
最大栅极发射极电压	±25V
最高工作温度	175 °C
关键词

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• GT50J342, Silicon N-Channel IGBT