NGTB10N60R2DT4G,882-9809,ON Semiconductor NGTB10N60R2DT4G N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 DPAK封装 ,ON Semiconductor
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NGTB10N60R2DT4G
ON Semiconductor NGTB10N60R2DT4G N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号：
NGTB10N60R2DT4G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
882-9809
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NGTB10N60R2DT4G产品详细信息
IGBT 分立，On Semiconductor
绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。
NGTB10N60R2DT4G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.73mm
尺寸
6.73 x 6.22 x 2.38mm
封装类型
DPAK
高度
2.38mm
晶体管配置
单
开关速度
1MHz
宽度
6.22mm
通道类型
N
引脚数目
3
栅极电容
1340pF
最大功率耗散
72 W
最大集电极-发射极电压
600 V
最大连续集电极电流
20 A
最大栅极发射极电压
±20V
最高工作温度
+175 °C
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NGTB10N60R2DT4G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 6.73mm
ON Semiconductor 长度 6.73mm
IGBT 晶体管 长度 6.73mm
ON Semiconductor IGBT 晶体管 长度 6.73mm
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
ON Semiconductor 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
IGBT 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
ON Semiconductor IGBT 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
封装类型 DPAK
ON Semiconductor 封装类型 DPAK
IGBT 晶体管 封装类型 DPAK
ON Semiconductor IGBT 晶体管 封装类型 DPAK
高度 2.38mm
ON Semiconductor 高度 2.38mm
IGBT 晶体管 高度 2.38mm
ON Semiconductor IGBT 晶体管 高度 2.38mm
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor IGBT 晶体管 晶体管配置 单
开关速度 1MHz
ON Semiconductor 开关速度 1MHz
IGBT 晶体管 开关速度 1MHz
ON Semiconductor IGBT 晶体管 开关速度 1MHz
宽度 6.22mm
ON Semiconductor 宽度 6.22mm
IGBT 晶体管 宽度 6.22mm
ON Semiconductor IGBT 晶体管 宽度 6.22mm
通道类型 N
ON Semiconductor 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
ON Semiconductor IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor IGBT 晶体管 引脚数目 3
栅极电容 1340pF
ON Semiconductor 栅极电容 1340pF
IGBT 晶体管 栅极电容 1340pF
ON Semiconductor IGBT 晶体管 栅极电容 1340pF
最大功率耗散 72 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 72 W
IGBT 晶体管 最大功率耗散 72 W
ON Semiconductor IGBT 晶体管 最大功率耗散 72 W
最大集电极-发射极电压 600 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 600 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
ON Semiconductor IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 20 A
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 20 A
IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 20 A
ON Semiconductor IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 20 A
最大栅极发射极电压 ±20V
ON Semiconductor 最大栅极发射极电压 ±20V
IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
ON Semiconductor IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
最高工作温度 +175 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +175 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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