IRGS4630DPBF,879-3498,Infineon IRGS4630DPBF N沟道 IGBT, 47 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装 ,Infineon
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IRGS4630DPBF
Infineon IRGS4630DPBF N沟道 IGBT, 47 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号:
IRGS4630DPBF
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
879-3498
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRGS4630DPBF产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10.67mm
尺寸
10.67 x 9.65 x 4.83mm
额定能量
260μJ
封装类型
D2PAK
高度
4.83mm
晶体管配置
单
开关速度
8 → 30kHz
宽度
9.65mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大功率耗散
206 W
最大集电极-发射极电压
600 V
最大连续集电极电流
47 A
最大栅极发射极电压
±20V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
175 °C
关键词
IRGS4630DPBF配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Murata Power Solutions MGJ2 系列 2W 隔离式直流-直流转换器 MGJ2D051509SC, 4.5 → 5.5 V 直流输入, -8.7 V dc, 15 V dc输出
制造商零件编号:
MGJ2D051509SC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
816-3503
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Murata Power Solutions MGJ3 系列 3W 隔离式直流-直流转换器 MGJ3T12150505MC-R7, 9 → 18 V 直流输入, 5 V, 15 V输出, 120mA输出
制造商零件编号:
MGJ3T12150505MC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
852-6799
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安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 10.67mm
Infineon 长度 10.67mm
IGBT 晶体管 长度 10.67mm
Infineon IGBT 晶体管 长度 10.67mm
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
Infineon 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
IGBT 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
Infineon IGBT 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
额定能量 260μJ
Infineon 额定能量 260μJ
IGBT 晶体管 额定能量 260μJ
Infineon IGBT 晶体管 额定能量 260μJ
封装类型 D2PAK
Infineon 封装类型 D2PAK
IGBT 晶体管 封装类型 D2PAK
Infineon IGBT 晶体管 封装类型 D2PAK
高度 4.83mm
Infineon 高度 4.83mm
IGBT 晶体管 高度 4.83mm
Infineon IGBT 晶体管 高度 4.83mm
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单
开关速度 8 → 30kHz
Infineon 开关速度 8 → 30kHz
IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz
Infineon IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz
宽度 9.65mm
Infineon 宽度 9.65mm
IGBT 晶体管 宽度 9.65mm
Infineon IGBT 晶体管 宽度 9.65mm
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 206 W
Infineon 最大功率耗散 206 W
IGBT 晶体管 最大功率耗散 206 W
Infineon IGBT 晶体管 最大功率耗散 206 W
最大集电极-发射极电压 600 V
Infineon 最大集电极-发射极电压 600 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 47 A
Infineon 最大连续集电极电流 47 A
IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 47 A
Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 47 A
最大栅极发射极电压 ±20V
Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V
IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
最低工作温度 -40 °C
Infineon 最低工作温度 -40 °C
IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C
Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 175 °C
Infineon 最高工作温度 175 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 175 °C
Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 175 °C
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IRGS4630DPBF产品技术参数资料
IRGS4630DPbF, IRGB4630DPbF, IRGP4630D(-E)PbF, Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode 600V 30A
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