IRGR4607DPBF,879-3476,Infineon IRGR4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 DPAK封装 ,Infineon
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IRGR4607DPBF
Infineon IRGR4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号:
IRGR4607DPBF
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
879-3476
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRGR4607DPBF产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10.67mm
尺寸
10.67 x 9.65 x 4.83mm
额定能量
7.4μJ
封装类型
DPAK
高度
4.83mm
晶体管配置
单
开关速度
8 → 30kHz
宽度
9.65mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大功率耗散
58 W
最大集电极-发射极电压
600 V
最大连续集电极电流
11 A
最大栅极发射极电压
±20V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
175 °C
关键词
IRGR4607DPBF相关搜索
安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 10.67mm
Infineon 长度 10.67mm
IGBT 晶体管 长度 10.67mm
Infineon IGBT 晶体管 长度 10.67mm
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
Infineon 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
IGBT 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
Infineon IGBT 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
额定能量 7.4μJ
Infineon 额定能量 7.4μJ
IGBT 晶体管 额定能量 7.4μJ
Infineon IGBT 晶体管 额定能量 7.4μJ
封装类型 DPAK
Infineon 封装类型 DPAK
IGBT 晶体管 封装类型 DPAK
Infineon IGBT 晶体管 封装类型 DPAK
高度 4.83mm
Infineon 高度 4.83mm
IGBT 晶体管 高度 4.83mm
Infineon IGBT 晶体管 高度 4.83mm
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单
开关速度 8 → 30kHz
Infineon 开关速度 8 → 30kHz
IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz
Infineon IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz
宽度 9.65mm
Infineon 宽度 9.65mm
IGBT 晶体管 宽度 9.65mm
Infineon IGBT 晶体管 宽度 9.65mm
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 58 W
Infineon 最大功率耗散 58 W
IGBT 晶体管 最大功率耗散 58 W
Infineon IGBT 晶体管 最大功率耗散 58 W
最大集电极-发射极电压 600 V
Infineon 最大集电极-发射极电压 600 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 11 A
Infineon 最大连续集电极电流 11 A
IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 11 A
Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 11 A
最大栅极发射极电压 ±20V
Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V
IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
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最高工作温度 175 °C
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IGBT 晶体管 最高工作温度 175 °C
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