IRGPS66160DPBF,879-3472,Infineon IRGPS66160DPBF N沟道 IGBT, 240 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 Super-247封装 ,Infineon
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IRGPS66160DPBF
Infineon IRGPS66160DPBF N沟道 IGBT, 240 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 Super-247封装
制造商零件编号:
IRGPS66160DPBF
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
879-3472
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRGPS66160DPBF产品详细信息
单 IGBT 超过 21A,Infineon
优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT
IRGPS66160DPBF产品技术参数
安装类型
通孔
长度
16.1mm
尺寸
16.1 x 5.5 x 20.8mm
额定能量
420μJ
封装类型
Super-247
高度
20.8mm
晶体管配置
单
开关速度
8 → 30kHz
宽度
5.5mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大功率耗散
750 W
最大集电极-发射极电压
600 V
最大连续集电极电流
240 A
最大栅极发射极电压
±20V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+175 °C
关键词
IRGPS66160DPBF配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Murata Power Solutions MGJ2 系列 2W 隔离式直流-直流转换器 MGJ2D051509SC, 4.5 → 5.5 V 直流输入, -8.7 V dc, 15 V dc输出
制造商零件编号:
MGJ2D051509SC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
816-3503
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Murata Power Solutions MGJ3 系列 3W 隔离式直流-直流转换器 MGJ3T12150505MC-R7, 9 → 18 V 直流输入, 5 V, 15 V输出, 120mA输出
制造商零件编号:
MGJ3T12150505MC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
852-6799
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安装类型 通孔
Infineon 安装类型 通孔
IGBT 晶体管 安装类型 通孔
Infineon IGBT 晶体管 安装类型 通孔
长度 16.1mm
Infineon 长度 16.1mm
IGBT 晶体管 长度 16.1mm
Infineon IGBT 晶体管 长度 16.1mm
尺寸 16.1 x 5.5 x 20.8mm
Infineon 尺寸 16.1 x 5.5 x 20.8mm
IGBT 晶体管 尺寸 16.1 x 5.5 x 20.8mm
Infineon IGBT 晶体管 尺寸 16.1 x 5.5 x 20.8mm
额定能量 420μJ
Infineon 额定能量 420μJ
IGBT 晶体管 额定能量 420μJ
Infineon IGBT 晶体管 额定能量 420μJ
封装类型 Super-247
Infineon 封装类型 Super-247
IGBT 晶体管 封装类型 Super-247
Infineon IGBT 晶体管 封装类型 Super-247
高度 20.8mm
Infineon 高度 20.8mm
IGBT 晶体管 高度 20.8mm
Infineon IGBT 晶体管 高度 20.8mm
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单
开关速度 8 → 30kHz
Infineon 开关速度 8 → 30kHz
IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz
Infineon IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz
宽度 5.5mm
Infineon 宽度 5.5mm
IGBT 晶体管 宽度 5.5mm
Infineon IGBT 晶体管 宽度 5.5mm
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 750 W
Infineon 最大功率耗散 750 W
IGBT 晶体管 最大功率耗散 750 W
Infineon IGBT 晶体管 最大功率耗散 750 W
最大集电极-发射极电压 600 V
Infineon 最大集电极-发射极电压 600 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 240 A
Infineon 最大连续集电极电流 240 A
IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 240 A
Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 240 A
最大栅极发射极电压 ±20V
Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V
IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
最低工作温度 -40 °C
Infineon 最低工作温度 -40 °C
IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C
Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +175 °C
Infineon 最高工作温度 +175 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C
Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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IRGPS66160DPBF产品技术参数资料
IRGPS66160DPbF, Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode 600V 160A
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