IRGP4760PBF,879-3441,Infineon IRGP4760PBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装 ,Infineon
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Infineon IRGP4760PBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装

制造商零件编号：
IRGP4760PBF
库存编号：
879-3441
Infineon IRGP4760PBF
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IRGP4760PBF
库存编号:IRGP4760PBF-ND		 Infineon Technologies AG IGBT 650V 90A TO-247AC0
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IRGP4760PBF
库存编号:2156-IRGP4760PBF-IR-ND		 Rochester Electronics LLC IGBT 650V 90A TO-247AC0
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IRGP4760PBF产品详细信息

单 IGBT 超过 21A，Infineon

优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT

IRGP4760PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.87mm  
  尺寸  15.87 x 5.31 x 20.7mm  
  封装类型  TO-247AC  
  高度  20.7mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  8 → 30kHz  
  宽度  5.31mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  325 W  
  最大集电极-发射极电压  650 V  
  最大连续集电极电流  90 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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IRGP4760PBF相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  Infineon IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.87mm  Infineon 长度 15.87mm  IGBT 晶体管 长度 15.87mm  Infineon IGBT 晶体管 长度 15.87mm   尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm  Infineon 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm  IGBT 晶体管 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm  Infineon IGBT 晶体管 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm   封装类型 TO-247AC  Infineon 封装类型 TO-247AC  IGBT 晶体管 封装类型 TO-247AC  Infineon IGBT 晶体管 封装类型 TO-247AC   高度 20.7mm  Infineon 高度 20.7mm  IGBT 晶体管 高度 20.7mm  Infineon IGBT 晶体管 高度 20.7mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单   开关速度 8 → 30kHz  Infineon 开关速度 8 → 30kHz  IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz  Infineon IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz   宽度 5.31mm  Infineon 宽度 5.31mm  IGBT 晶体管 宽度 5.31mm  Infineon IGBT 晶体管 宽度 5.31mm   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 325 W  Infineon 最大功率耗散 325 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 325 W  Infineon IGBT 晶体管 最大功率耗散 325 W   最大集电极-发射极电压 650 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 650 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 650 V  Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 650 V   最大连续集电极电流 90 A  Infineon 最大连续集电极电流 90 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 90 A  Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 90 A   最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -40 °C  Infineon 最低工作温度 -40 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C  Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
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型号 制造商 描述 操作
IRGP4760PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

IGBT Transistors 650V UltraFast IGBT TO-247

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRGP4760PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

IGBT, SINGLE, 650V, 90A, TO-247AC-3

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IRGP4760PBF
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无图IRGP4760PBF
International Rectifier		原厂原装货
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Infineon Technologies - IRGP4760PBF - IGBT 650V TO-247		Infineon Technologies
IGBT 650V TO-247
详细描述：IGBT 650V 90A 325W Through Hole TO-247AC

型号：IRGP4760PBF
仓库库存编号：IRGP4760PBF-ND
别名：SP001532824 <br> 		无铅搜索
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRGP4760PBF
INFINEON IRGP4760PBF		2580050

INFINEON

单晶体管, IGBT, N通道, 90 A, 1.7 V, 325 W, 650 V, TO-247AC, 3 引脚

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Infineon - IRGP4760PBF - Infineon IRGP4760PBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
制造商零件编号：
IRGP4760PBF
品牌：
Infineon
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