IRG8P08N120KDPBF,879-3390,Infineon IRG8P08N120KDPBF N沟道 IGBT, 15 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装 ,Infineon
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IRG8P08N120KDPBF
Infineon IRG8P08N120KDPBF N沟道 IGBT, 15 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
制造商零件编号:
IRG8P08N120KDPBF
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
879-3390
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRG8P08N120KDPBF产品详细信息
单 IGBT 高达 20A,Infineon
优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能
IRG8P08N120KDPBF产品技术参数
安装类型
通孔
长度
15.87mm
尺寸
15.87 x 5.31 x 20.7mm
额定能量
240μJ
封装类型
TO-247AD
高度
20.7mm
晶体管配置
单
开关速度
8 → 30kHz
宽度
5.31mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大功率耗散
89 W
最大集电极-发射极电压
1200 V
最大连续集电极电流
15 A
最大栅极发射极电压
±30V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
IRG8P08N120KDPBF配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Murata Power Solutions MGJ2 系列 2W 隔离式直流-直流转换器 MGJ2D051509SC, 4.5 → 5.5 V 直流输入, -8.7 V dc, 15 V dc输出
制造商零件编号:
MGJ2D051509SC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
816-3503
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Murata Power Solutions MGJ3 系列 3W 隔离式直流-直流转换器 MGJ3T12150505MC-R7, 9 → 18 V 直流输入, 5 V, 15 V输出, 120mA输出
制造商零件编号:
MGJ3T12150505MC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
852-6799
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安装类型 通孔
Infineon 安装类型 通孔
IGBT 晶体管 安装类型 通孔
Infineon IGBT 晶体管 安装类型 通孔
长度 15.87mm
Infineon 长度 15.87mm
IGBT 晶体管 长度 15.87mm
Infineon IGBT 晶体管 长度 15.87mm
尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm
Infineon 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm
IGBT 晶体管 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm
Infineon IGBT 晶体管 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm
额定能量 240μJ
Infineon 额定能量 240μJ
IGBT 晶体管 额定能量 240μJ
Infineon IGBT 晶体管 额定能量 240μJ
封装类型 TO-247AD
Infineon 封装类型 TO-247AD
IGBT 晶体管 封装类型 TO-247AD
Infineon IGBT 晶体管 封装类型 TO-247AD
高度 20.7mm
Infineon 高度 20.7mm
IGBT 晶体管 高度 20.7mm
Infineon IGBT 晶体管 高度 20.7mm
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单
开关速度 8 → 30kHz
Infineon 开关速度 8 → 30kHz
IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz
Infineon IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz
宽度 5.31mm
Infineon 宽度 5.31mm
IGBT 晶体管 宽度 5.31mm
Infineon IGBT 晶体管 宽度 5.31mm
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 89 W
Infineon 最大功率耗散 89 W
IGBT 晶体管 最大功率耗散 89 W
Infineon IGBT 晶体管 最大功率耗散 89 W
最大集电极-发射极电压 1200 V
Infineon 最大集电极-发射极电压 1200 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 1200 V
Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 1200 V
最大连续集电极电流 15 A
Infineon 最大连续集电极电流 15 A
IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 15 A
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最大栅极发射极电压 ±30V
Infineon 最大栅极发射极电压 ±30V
IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±30V
Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±30V
最低工作温度 -40 °C
Infineon 最低工作温度 -40 °C
IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C
Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +150 °C
Infineon 最高工作温度 +150 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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IRG8P08N120KDPBF产品技术参数资料
IRG8B08N120KDPbF, IRG8P08N120KDPbF, IRG8P08N120KD-EPbF, Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode 1200V 8A
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