STGW45HF60WD,877-2902,STMicroelectronics STGW45HF60WD N沟道 IGBT, 70 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装 ,STMicroelectronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

STMicroelectronics STGW45HF60WD N沟道 IGBT, 70 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
STGW45HF60WD
库存编号：
877-2902
STMicroelectronics STGW45HF60WD
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STGW45HF60WD产品详细信息

IGBT 分立，STMicroelectronics

STGW45HF60WD产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.75mm  
  尺寸  15.75 x 5.15 x 24.45mm  
  额定能量  1100μJ  
  封装类型  TO-247  
  高度  24.45mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.15mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  栅极电容  2900pF  
  最大功率耗散  250 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  70 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

STGW45HF60WD相关搜索

安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  STMicroelectronics IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.75mm  STMicroelectronics 长度 15.75mm  IGBT 晶体管 长度 15.75mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 长度 15.75mm   尺寸 15.75 x 5.15 x 24.45mm  STMicroelectronics 尺寸 15.75 x 5.15 x 24.45mm  IGBT 晶体管 尺寸 15.75 x 5.15 x 24.45mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 尺寸 15.75 x 5.15 x 24.45mm   额定能量 1100μJ  STMicroelectronics 额定能量 1100μJ  IGBT 晶体管 额定能量 1100μJ  STMicroelectronics IGBT 晶体管 额定能量 1100μJ   封装类型 TO-247  STMicroelectronics 封装类型 TO-247  IGBT 晶体管 封装类型 TO-247  STMicroelectronics IGBT 晶体管 封装类型 TO-247   高度 24.45mm  STMicroelectronics 高度 24.45mm  IGBT 晶体管 高度 24.45mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 高度 24.45mm   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics IGBT 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.15mm  STMicroelectronics 宽度 5.15mm  IGBT 晶体管 宽度 5.15mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 宽度 5.15mm   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics IGBT 晶体管 引脚数目 3   栅极电容 2900pF  STMicroelectronics 栅极电容 2900pF  IGBT 晶体管 栅极电容 2900pF  STMicroelectronics IGBT 晶体管 栅极电容 2900pF   最大功率耗散 250 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 250 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 250 W  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大功率耗散 250 W   最大集电极-发射极电压 600 V  STMicroelectronics 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 70 A  STMicroelectronics 最大连续集电极电流 70 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 70 A  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 70 A   最大栅极发射极电压 ±20V  STMicroelectronics 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

STGW45HF60WD产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号