IRGS4607DPBF,872-4268,Infineon IRGS4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装 ,Infineon
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Infineon IRGS4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
IRGS4607DPBF
库存编号：
872-4268
Infineon IRGS4607DPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRGS4607DPBF产品详细信息

单 IGBT 高达 20A，Infineon

优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能

IRGS4607DPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 9.65 x 4.83mm  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  8 → 30kHz  
  宽度  9.65mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  栅极电容  250pF  
  最大功率耗散  58 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  11 A  
  最大栅极发射极电压  ±30V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
关键词         

IRGS4607DPBF配套附件

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IRGS4607DPBF相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.67mm  Infineon 长度 10.67mm  IGBT 晶体管 长度 10.67mm  Infineon IGBT 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Infineon 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  IGBT 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Infineon IGBT 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm   封装类型 D2PAK  Infineon 封装类型 D2PAK  IGBT 晶体管 封装类型 D2PAK  Infineon IGBT 晶体管 封装类型 D2PAK   高度 4.83mm  Infineon 高度 4.83mm  IGBT 晶体管 高度 4.83mm  Infineon IGBT 晶体管 高度 4.83mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单   开关速度 8 → 30kHz  Infineon 开关速度 8 → 30kHz  IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz  Infineon IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz   宽度 9.65mm  Infineon 宽度 9.65mm  IGBT 晶体管 宽度 9.65mm  Infineon IGBT 晶体管 宽度 9.65mm   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3   栅极电容 250pF  Infineon 栅极电容 250pF  IGBT 晶体管 栅极电容 250pF  Infineon IGBT 晶体管 栅极电容 250pF   最大功率耗散 58 W  Infineon 最大功率耗散 58 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 58 W  Infineon IGBT 晶体管 最大功率耗散 58 W   最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 11 A  Infineon 最大连续集电极电流 11 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 11 A  Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 11 A   最大栅极发射极电压 ±30V  Infineon 最大栅极发射极电压 ±30V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±30V  Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±30V   最低工作温度 -40 °C  Infineon 最低工作温度 -40 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C  Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRGS4607DPBF产品技术参数资料

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