IRGP6650DPBF,872-4240,Infineon IRGP6650DPBF N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon IRGP6650DPBF N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装

制造商零件编号：
IRGP6650DPBF
库存编号：
872-4240
Infineon IRGP6650DPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRGP6650DPBF产品详细信息

单 IGBT 超过 21A，Infineon

优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT

IRGP6650DPBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.87mm  
  尺寸  15.87 x 5.31 x 20.7mm  
  封装类型  TO-247AC  
  高度  20.7mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  8 → 30kHz  
  宽度  5.31mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  栅极电容  2220pF  
  最大功率耗散  306 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  80 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
关键词         

IRGP6650DPBF相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  Infineon IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.87mm  Infineon 长度 15.87mm  IGBT 晶体管 长度 15.87mm  Infineon IGBT 晶体管 长度 15.87mm   尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm  Infineon 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm  IGBT 晶体管 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm  Infineon IGBT 晶体管 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm   封装类型 TO-247AC  Infineon 封装类型 TO-247AC  IGBT 晶体管 封装类型 TO-247AC  Infineon IGBT 晶体管 封装类型 TO-247AC   高度 20.7mm  Infineon 高度 20.7mm  IGBT 晶体管 高度 20.7mm  Infineon IGBT 晶体管 高度 20.7mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单   开关速度 8 → 30kHz  Infineon 开关速度 8 → 30kHz  IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz  Infineon IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz   宽度 5.31mm  Infineon 宽度 5.31mm  IGBT 晶体管 宽度 5.31mm  Infineon IGBT 晶体管 宽度 5.31mm   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3   栅极电容 2220pF  Infineon 栅极电容 2220pF  IGBT 晶体管 栅极电容 2220pF  Infineon IGBT 晶体管 栅极电容 2220pF   最大功率耗散 306 W  Infineon 最大功率耗散 306 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 306 W  Infineon IGBT 晶体管 最大功率耗散 306 W   最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 80 A  Infineon 最大连续集电极电流 80 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 80 A  Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 80 A   最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -40 °C  Infineon 最低工作温度 -40 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C  Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRGP6650DPBF产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号