FGP15N60UNDF,864-8887,Fairchild Semiconductor FGP15N60UNDF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor FGP15N60UNDF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
FGP15N60UNDF
库存编号：
864-8887
Fairchild Semiconductor FGP15N60UNDF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FGP15N60UNDF产品详细信息

分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor

FGP15N60UNDF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.83 x 16.51mm  
  封装类型  TO-220  
  高度  16.51mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  178 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  30 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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FGP15N60UNDF产品技术参数资料

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