FGH60N60SMD_F085,864-8877,Fairchild Semiconductor FGH60N60SMD_F085 N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor FGH60N60SMD_F085 N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
FGH60N60SMD_F085
库存编号：
864-8877
Fairchild Semiconductor FGH60N60SMD_F085
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FGH60N60SMD_F085产品详细信息

汽车 IGBT，Fairchild Semiconductor

来自 Fairchild Semiconductor 的一系列场截止沟道 IGBT，已通过压力测试，并符合 AEC-Q101 标准。

特点

• 正温度系数易于并行操作
• 高电流容量
• 低饱和电压
• 高输入阻抗
• 收紧参数分布

RS 产品代码


864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A TO247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A TO247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263（每包 800 个）
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247（每包 30 个）

注

所述电流额定值在结点温度为 Tc = +100°C 时适用。

标准

AEC-Q101

FGH60N60SMD_F085产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.6mm  
  尺寸  15.6 x 4.7 x 20.6mm  
  封装类型  TO-247  
  高度  20.6mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.7mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  600 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  120 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
关键词         

FGH60N60SMD_F085相关搜索

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.6mm  Fairchild Semiconductor 长度 15.6mm  IGBT 晶体管 长度 15.6mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 长度 15.6mm   尺寸 15.6 x 4.7 x 20.6mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 15.6 x 4.7 x 20.6mm  IGBT 晶体管 尺寸 15.6 x 4.7 x 20.6mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 尺寸 15.6 x 4.7 x 20.6mm   封装类型 TO-247  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-247  IGBT 晶体管 封装类型 TO-247  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 封装类型 TO-247   高度 20.6mm  Fairchild Semiconductor 高度 20.6mm  IGBT 晶体管 高度 20.6mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 高度 20.6mm   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.7mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.7mm  IGBT 晶体管 宽度 4.7mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 宽度 4.7mm   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 600 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 600 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 600 W  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大功率耗散 600 W   最大集电极-发射极电压 600 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 120 A  Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流 120 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 120 A  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 120 A   最大栅极发射极电压 ±20V  Fairchild Semiconductor 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FGH60N60SMD_F085产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号