FGB40N60SM,864-8811,Fairchild Semiconductor FGB40N60SM N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Fairchild Semiconductor
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FGB40N60SM
Fairchild Semiconductor FGB40N60SM N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号:
FGB40N60SM
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8811
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FGB40N60SM产品详细信息
分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor
FGB40N60SM产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10.67mm
尺寸
10.67 x 9.65 x 4.83mm
封装类型
D2PAK
高度
4.83mm
晶体管配置
单
宽度
9.65mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大功率耗散
349 W
最大集电极-发射极电压
600 V
最大连续集电极电流
80 A
最大栅极发射极电压
±20V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
关键词
FGB40N60SM配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Murata Power Solutions MGJ2 系列 2W 隔离式直流-直流转换器 MGJ2D051509SC, 4.5 → 5.5 V 直流输入, -8.7 V dc, 15 V dc输出
制造商零件编号:
MGJ2D051509SC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
816-3503
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Murata Power Solutions MGJ3 系列 3W 隔离式直流-直流转换器 MGJ3T12150505MC-R7, 9 → 18 V 直流输入, 5 V, 15 V输出, 120mA输出
制造商零件编号:
MGJ3T12150505MC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
852-6799
查看其他仓库
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安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装
IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 10.67mm
Fairchild Semiconductor 长度 10.67mm
IGBT 晶体管 长度 10.67mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 长度 10.67mm
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
IGBT 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
封装类型 D2PAK
Fairchild Semiconductor 封装类型 D2PAK
IGBT 晶体管 封装类型 D2PAK
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 封装类型 D2PAK
高度 4.83mm
Fairchild Semiconductor 高度 4.83mm
IGBT 晶体管 高度 4.83mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 高度 4.83mm
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 晶体管配置 单
宽度 9.65mm
Fairchild Semiconductor 宽度 9.65mm
IGBT 晶体管 宽度 9.65mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 宽度 9.65mm
通道类型 N
Fairchild Semiconductor 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 349 W
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 349 W
IGBT 晶体管 最大功率耗散 349 W
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大功率耗散 349 W
最大集电极-发射极电压 600 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 600 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 80 A
Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流 80 A
IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 80 A
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 80 A
最大栅极发射极电压 ±20V
Fairchild Semiconductor 最大栅极发射极电压 ±20V
IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +175 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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FGB40N60SM产品技术参数资料
FGB40N60SM, 600V, 40A, Field Stop IGBT
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