FGB20N60SFD_F085,864-8792,Fairchild Semiconductor FGB20N60SFD_F085 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Fairchild Semiconductor
来自 Fairchild Semiconductor 的一系列场截止沟道 IGBT，已通过压力测试，并符合 AEC-Q101 标准。
• 正温度系数易于并行操作
• 高电流容量
• 低饱和电压
• 高输入阻抗
• 收紧参数分布
864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A TO247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A TO247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263（每包 800 个）
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247（每包 30 个）
所述电流额定值在结点温度为 Tc = +100°C 时适用。
AEC-Q101
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