FGA50S110P,864-8786,Fairchild Semiconductor FGA50S110P N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1100 V, 3引脚 TO-3PN封装 ,Fairchild Semiconductor
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FGA50S110P
Fairchild Semiconductor FGA50S110P N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1100 V, 3引脚 TO-3PN封装
制造商零件编号:
FGA50S110P
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8786
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FGA50S110P产品详细信息
分离式 IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor
FGA50S110P产品技术参数
安装类型
通孔
长度
15.8mm
尺寸
15.8 x 5 x 20.1mm
封装类型
TO-3PN
高度
20.1mm
晶体管配置
单
宽度
5mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大功率耗散
300 W
最大集电极-发射极电压
1100 V
最大连续集电极电流
50 A
最大栅极发射极电压
±25V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
关键词
FGA50S110P配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Murata Power Solutions MGJ2 系列 2W 隔离式直流-直流转换器 MGJ2D051509SC, 4.5 → 5.5 V 直流输入, -8.7 V dc, 15 V dc输出
制造商零件编号:
MGJ2D051509SC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
816-3503
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Murata Power Solutions MGJ3 系列 3W 隔离式直流-直流转换器 MGJ3T12150505MC-R7, 9 → 18 V 直流输入, 5 V, 15 V输出, 120mA输出
制造商零件编号:
MGJ3T12150505MC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
852-6799
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尺寸 15.8 x 5 x 20.1mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 15.8 x 5 x 20.1mm
IGBT 晶体管 尺寸 15.8 x 5 x 20.1mm
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封装类型 TO-3PN
Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-3PN
IGBT 晶体管 封装类型 TO-3PN
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高度 20.1mm
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晶体管配置 单
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宽度 5mm
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IGBT 晶体管 宽度 5mm
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通道类型 N
Fairchild Semiconductor 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 300 W
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 300 W
IGBT 晶体管 最大功率耗散 300 W
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大功率耗散 300 W
最大集电极-发射极电压 1100 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 1100 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 1100 V
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 1100 V
最大连续集电极电流 50 A
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IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +175 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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FGA50S110P产品技术参数资料
FGA50S110P, 1100V, 50A Shorted-Anode IGBT
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