FGA30N65SMD,864-8770,Fairchild Semiconductor FGA30N65SMD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3PN封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor FGA30N65SMD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3PN封装

制造商零件编号：
FGA30N65SMD
库存编号：
864-8770
Fairchild Semiconductor FGA30N65SMD
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FGA30N65SMD产品详细信息

分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor

FGA30N65SMD产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.2mm  
  尺寸  16.2 x 5 x 20.1mm  
  封装类型  TO-3PN  
  高度  20.1mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  300 W  
  最大集电极-发射极电压  650 V  
  最大连续集电极电流  60 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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FGA30N65SMD产品技术参数资料

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