IRGIB7B60KDPBF,864-0980,Infineon IRGIB7B60KDPBF N沟道 IGBT, 12 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装 ,Infineon
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Infineon IRGIB7B60KDPBF N沟道 IGBT, 12 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
IRGIB7B60KDPBF
库存编号：
864-0980
Infineon IRGIB7B60KDPBF
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRGIB7B60KDPBF
库存编号:2156-IRGIB7B60KDPBF-ND		 Rochester Electronics LLC IGBT NPT 600V 12A TO220AB FP864
293起订		293+
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IRGIB7B60KDPBF
库存编号:IRGIB7B60KDPBF-ND		 Infineon Technologies AG IGBT NPT 600V 12A TO220AB FP0
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IRGIB7B60KDPBF
库存编号:IRGIB7B60KDPBF		 Infineon Technologies AG Transistor: IGBT, 600V, 12A, 39W, TO220AB0
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IRGIB7B60KDPBF International Rectifier  
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IRGIB7B60KDPBF产品详细信息

Co-Pack IGBT 高达 20A，Infineon

Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。

IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置

IRGIB7B60KDPBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.63mm  
  尺寸  10.63 x 4.83 x 16.12mm  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  16.12mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  8 → 30kHz  
  宽度  4.83mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  39 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  12 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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IRGIB7B60KDPBF相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  Infineon IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.63mm  Infineon 长度 10.63mm  IGBT 晶体管 长度 10.63mm  Infineon IGBT 晶体管 长度 10.63mm   尺寸 10.63 x 4.83 x 16.12mm  Infineon 尺寸 10.63 x 4.83 x 16.12mm  IGBT 晶体管 尺寸 10.63 x 4.83 x 16.12mm  Infineon IGBT 晶体管 尺寸 10.63 x 4.83 x 16.12mm   封装类型 TO-220AB  Infineon 封装类型 TO-220AB  IGBT 晶体管 封装类型 TO-220AB  Infineon IGBT 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 16.12mm  Infineon 高度 16.12mm  IGBT 晶体管 高度 16.12mm  Infineon IGBT 晶体管 高度 16.12mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单   开关速度 8 → 30kHz  Infineon 开关速度 8 → 30kHz  IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz  Infineon IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz   宽度 4.83mm  Infineon 宽度 4.83mm  IGBT 晶体管 宽度 4.83mm  Infineon IGBT 晶体管 宽度 4.83mm   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 39 W  Infineon 最大功率耗散 39 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 39 W  Infineon IGBT 晶体管 最大功率耗散 39 W   最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 12 A  Infineon 最大连续集电极电流 12 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 12 A  Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 12 A   最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
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型号 制造商 描述 操作
IRGIB7B60KDPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

IGBT 600V 12A 39W TO220FP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IRGIB7B60KDPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

IGBT Transistors 600V Low-Vceon

RoHS: Compliant

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IRGIB7B60KDPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRGIB7B60KDPBF)

RoHS: Compliant

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IRGIB7B60KDPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRGIB7B60KDPBF)

RoHS: Compliant

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IRGIB7B60KDPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 39000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

RoHS: Compliant

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IRGIB7B60KDPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 39000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRGIB7B60KDPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

IGBT, 600V, 12A, TO-220FP

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IRGIB7B60KDPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

600V LOW-VCEON COPACK IGBT IN A TO-220 FULLPAK PACKAGE

RoHS: Compliant

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Infineon Technologies - IRGIB7B60KDPBF - IGBT 600V 12A 39W TO220FP		Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 39W TO220FP
详细描述：IGBT NPT 600V 12A 39W Through Hole TO-220AB Full-Pak

型号：IRGIB7B60KDPBF
仓库库存编号：IRGIB7B60KDPBF-ND
别名：*IRGIB7B60KDPBF <br>SP001536318 <br>

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IRGIB7B60KDPBF|International RectifierIRGIB7B60KDPBF
International Rectifier		IGBT ULTRA FAST 600V 12A TO220FP
Rohs

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IRGIB7B60KDPBF
INFINEON IRGIB7B60KDPBF		8659648

INFINEON

单晶体管, IGBT, 12 A, 2.2 V, 39 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚

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Infineon - IRGIB7B60KDPBF - Infineon IRGIB7B60KDPBF N沟道 IGBT, 12 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装
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IRGIB7B60KDPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
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IRGIB7B60KDPBF|International RectifierIRGIB7B60KDPBF
International Rectifier		IGBT ULTRA FAST 600V 12A TO220FP
Rohs

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IRGIB7B60KDPBF|International RectifierIRGIB7B60KDPBF
International Rectifier		IGBT ULTRA FAST 600V 12A TO220FP
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IRGIB7B60KDPBF产品技术参数资料

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