IRG7PH42UD-EP,864-0968,Infineon IRG7PH42UD-EP N沟道 IGBT, 85 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon IRG7PH42UD-EP N沟道 IGBT, 85 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装

制造商零件编号：
IRG7PH42UD-EP
库存编号：
864-0968
Infineon IRG7PH42UD-EP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRG7PH42UD-EP产品详细信息

Co-Pack IGBT 超过 21A，Infineon

Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。

IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置

IRG7PH42UD-EP产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.87mm  
  尺寸  15.87 x 5.31 x 20.7mm  
  封装类型  TO-247AD  
  高度  20.7mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  8 → 30kHz  
  宽度  5.31mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  320 W  
  最大集电极-发射极电压  1200 V  
  最大连续集电极电流  85 A  
  最大栅极发射极电压  ±30V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

IRG7PH42UD-EP相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  Infineon IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.87mm  Infineon 长度 15.87mm  IGBT 晶体管 长度 15.87mm  Infineon IGBT 晶体管 长度 15.87mm   尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm  Infineon 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm  IGBT 晶体管 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm  Infineon IGBT 晶体管 尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm   封装类型 TO-247AD  Infineon 封装类型 TO-247AD  IGBT 晶体管 封装类型 TO-247AD  Infineon IGBT 晶体管 封装类型 TO-247AD   高度 20.7mm  Infineon 高度 20.7mm  IGBT 晶体管 高度 20.7mm  Infineon IGBT 晶体管 高度 20.7mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单   开关速度 8 → 30kHz  Infineon 开关速度 8 → 30kHz  IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz  Infineon IGBT 晶体管 开关速度 8 → 30kHz   宽度 5.31mm  Infineon 宽度 5.31mm  IGBT 晶体管 宽度 5.31mm  Infineon IGBT 晶体管 宽度 5.31mm   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 320 W  Infineon 最大功率耗散 320 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 320 W  Infineon IGBT 晶体管 最大功率耗散 320 W   最大集电极-发射极电压 1200 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 1200 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 1200 V  Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 1200 V   最大连续集电极电流 85 A  Infineon 最大连续集电极电流 85 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 85 A  Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 85 A   最大栅极发射极电压 ±30V  Infineon 最大栅极发射极电压 ±30V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±30V  Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±30V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRG7PH42UD-EP产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号