ISL9V2040D3ST,862-9347,Fairchild Semiconductor ISL9V2040D3ST N沟道 IGBT, 10 A, Vce=450 V, 3引脚 TO-252AA封装 ,Fairchild Semiconductor
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ISL9V2040D3ST
Fairchild Semiconductor ISL9V2040D3ST N沟道 IGBT, 10 A, Vce=450 V, 3引脚 TO-252AA封装
制造商零件编号:
ISL9V2040D3ST
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-9347
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ISL9V2040D3ST产品详细信息
分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor
ISL9V2040D3ST产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.73mm
尺寸
6.73 x 6.22 x 2.39mm
封装类型
TO-252AA
高度
2.39mm
晶体管配置
单
宽度
6.22mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大功率耗散
130 W
最大集电极-发射极电压
450 V
最大连续集电极电流
10 A
最大栅极发射极电压
±14V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+175 °C
关键词
ISL9V2040D3ST配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Murata Power Solutions MGJ2 系列 2W 隔离式直流-直流转换器 MGJ2D051509SC, 4.5 → 5.5 V 直流输入, -8.7 V dc, 15 V dc输出
制造商零件编号:
MGJ2D051509SC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
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Murata Power Solutions MGJ3 系列 3W 隔离式直流-直流转换器 MGJ3T12150505MC-R7, 9 → 18 V 直流输入, 5 V, 15 V输出, 120mA输出
制造商零件编号:
MGJ3T12150505MC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
852-6799
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EPCOS 20A 表面贴装 电流互感器 CT B82801B0205A100, 1:100匝数比
制造商零件编号:
B82801B0205A100
品牌:
EPCOS
库存编号:
871-1613
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长度 6.73mm
Fairchild Semiconductor 长度 6.73mm
IGBT 晶体管 长度 6.73mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 长度 6.73mm
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
IGBT 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
封装类型 TO-252AA
Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-252AA
IGBT 晶体管 封装类型 TO-252AA
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 封装类型 TO-252AA
高度 2.39mm
Fairchild Semiconductor 高度 2.39mm
IGBT 晶体管 高度 2.39mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 高度 2.39mm
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 晶体管配置 单
宽度 6.22mm
Fairchild Semiconductor 宽度 6.22mm
IGBT 晶体管 宽度 6.22mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 宽度 6.22mm
通道类型 N
Fairchild Semiconductor 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 130 W
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 130 W
IGBT 晶体管 最大功率耗散 130 W
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大功率耗散 130 W
最大集电极-发射极电压 450 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 450 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 450 V
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 450 V
最大连续集电极电流 10 A
Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流 10 A
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最高工作温度 +175 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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ISL9V2040D3ST产品技术参数资料
ISL9V2040D3S, ISL9V2040S3S, ISL9V2040P3, EcoSPARK 200mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
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