STGB20H60DF,860-7549,STMicroelectronics STGB20H60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STGB20H60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
STGB20H60DF
库存编号：
860-7549
STMicroelectronics STGB20H60DF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STGB20H60DF产品详细信息

IGBT 分立，STMicroelectronics

STGB20H60DF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 9.35 x 4.6mm  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.6mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.35mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  167 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  40 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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