IKB10N60T,857-8589,Infineon IKB10N60T N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-263封装 ,Infineon
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Infineon IKB10N60T N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号：
IKB10N60T
库存编号：
857-8589
Infineon IKB10N60T
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IKB10N60T产品详细信息

Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop? 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
• 极低的 VCEsat
• 低断开损耗
• 短尾线电流
• 低 EMI
• 最大接点温度为 175°C

IKB10N60T产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.31mm  
  尺寸  10.31 x 9.45 x 4.57mm  
  封装类型  TO-263  
  高度  4.57mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  1MHz  
  宽度  9.45mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  110 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  20 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IKB10N60T产品技术参数资料

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