IRGIB15B60KD1P,830-3271,Infineon IRGIB15B60KD1P N沟道 IGBT, 19 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
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Infineon IRGIB15B60KD1P N沟道 IGBT, 19 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
IRGIB15B60KD1P
库存编号：
830-3271
Infineon IRGIB15B60KD1P
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRGIB15B60KD1P产品详细信息

单 IGBT 高达 20A，Infineon

优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能

IRGIB15B60KD1P产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.63mm  
  尺寸  10.63 x 4.83 x 16.12mm  
  封装类型  TO-220  
  高度  16.12mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  52 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  19 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRGIB15B60KD1P产品技术参数资料

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