STGWT60H65DFB,829-4666,STMicroelectronics STGWT60H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STGWT60H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装

制造商零件编号：
STGWT60H65DFB
库存编号：
829-4666
STMicroelectronics STGWT60H65DFB
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STGWT60H65DFB
库存编号:497-14232-5-ND		 STMicroelectronics IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P148
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30+
120+
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STGWT60H65DFB
库存编号:511-STGWT60H65DFB		 STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT474
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STGWT60H65DFB
库存编号:STGWT60H65DFB		 STMicroelectronics Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-3P Tube - Rail/Tube (Alt: STGWT60H65DFB)0
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STGWT60H65DFB
库存编号:3366994		 STMicroelectronics , IGBT, 650V, 80A, 175 C, 375W135
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STGWT60H65DFB
库存编号:STGWT60H65DFB		 STMicroelectronics Transistor: IGBT, 650V, 60A, 375W, TO3P139
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STGWT60H65DFB产品详细信息

IGBT 分立，STMicroelectronics

STGWT60H65DFB产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.8mm  
  尺寸  15.8 x 5 x 20.1mm  
  封装类型  TO-3P  
  高度  20.1mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  375 W  
  最大集电极-发射极电压  650 V  
  最大连续集电极电流  80 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  STMicroelectronics IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.8mm  STMicroelectronics 长度 15.8mm  IGBT 晶体管 长度 15.8mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 长度 15.8mm   尺寸 15.8 x 5 x 20.1mm  STMicroelectronics 尺寸 15.8 x 5 x 20.1mm  IGBT 晶体管 尺寸 15.8 x 5 x 20.1mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 尺寸 15.8 x 5 x 20.1mm   封装类型 TO-3P  STMicroelectronics 封装类型 TO-3P  IGBT 晶体管 封装类型 TO-3P  STMicroelectronics IGBT 晶体管 封装类型 TO-3P   高度 20.1mm  STMicroelectronics 高度 20.1mm  IGBT 晶体管 高度 20.1mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 高度 20.1mm   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics IGBT 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5mm  STMicroelectronics 宽度 5mm  IGBT 晶体管 宽度 5mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 宽度 5mm   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics IGBT 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 375 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 375 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 375 W  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大功率耗散 375 W   最大集电极-发射极电压 650 V  STMicroelectronics 最大集电极-发射极电压 650 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 650 V  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 650 V   最大连续集电极电流 80 A  STMicroelectronics 最大连续集电极电流 80 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 80 A  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 80 A   最大栅极发射极电压 ±20V  STMicroelectronics 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +175 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
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STGWT60H65DFB
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IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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STGWT60H65DFB
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IGBT Transistors 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT

RoHS: Compliant

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STGWT60H65DFB
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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STGWT60H65DFB
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-3P Tube (Alt: STGWT60H65DFB)

RoHS: Compliant

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STGWT60H65DFB
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-3P Tube - Rail/Tube (Alt: STGWT60H65DFB)

RoHS: Compliant

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STGWT60H65DFB
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

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STGWT60H65DFB
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

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无图STGWT60H65DFB
STMicroelectronics		IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
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STMicroelectronics - STGWT60H65DFB - STMicroelectronics STGWT60H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
制造商零件编号：
STGWT60H65DFB
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
829-4666
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STMicroelectronics - STGWT60H65DFB - IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L		STMicroelectronics
IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-3P

型号：STGWT60H65DFB
仓库库存编号：497-14232-5-ND
别名：497-14232-5 <br>

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电话:400-900-3095
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