STGWT60H60DLFB,829-4663,STMicroelectronics STGWT60H60DLFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STGWT60H60DLFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装

制造商零件编号：
STGWT60H60DLFB
库存编号：
829-4663
STMicroelectronics STGWT60H60DLFB
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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STGWT60H60DLFB
库存编号:497-14231-5-ND		 STMicroelectronics IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P0
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STGWT60H60DLFB产品详细信息

IGBT 分立，STMicroelectronics

STGWT60H60DLFB产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.8mm  
  尺寸  15.8 x 5 x 20.1mm  
  封装类型  TO-3P  
  高度  20.1mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  375 W  
  最大集电极-发射极电压  650 V  
  最大连续集电极电流  80 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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STGWT60H60DLFB相关搜索

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型号 制造商 描述 操作
STGWT60H60DLFB
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IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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STGWT60H60DLFB
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IGBT Transistors 600V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT

RoHS: Compliant

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STGWT60H60DLFB
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin TO-3P Tube - Rail/Tube (Alt: STGWT60H60DLFB)

RoHS: Compliant

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STGWT60H60DLFB
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin TO-3P Tube (Alt: STGWT60H60DLFB)

RoHS: Compliant

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STMicroelectronics - STGWT60H60DLFB - IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L		STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole TO-3P

型号：STGWT60H60DLFB
仓库库存编号：497-14231-5-ND
别名：497-14231-5 <br>

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STMicroelectronics - STGWT60H60DLFB - STMicroelectronics STGWT60H60DLFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
制造商零件编号：
STGWT60H60DLFB
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
829-4663
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STMicroelectronics		IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L
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