IXYB82N120C3H1,808-0237,IXYS IXYB82N120C3H1 N沟道 IGBT, 164 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 PLUS264封装 ,IXYS
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IXYS IXYB82N120C3H1 N沟道 IGBT, 164 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 PLUS264封装

制造商零件编号：
IXYB82N120C3H1
制造商：
IXYS IXYS
库存编号：
808-0237
IXYS IXYB82N120C3H1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IXYB82N120C3H1产品详细信息

IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列

IXYS 的 XPT? 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。

高功率密度和低 VCE(sat)
方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压
短路容量，确保 10usec
正向通态电压温度系数
可选 Co-Pack Sonic-FRD? 或 HiPerFRED? 二极管
国际标准和专有高电压封装

IXYB82N120C3H1产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  20.29mm  
  尺寸  20.29 x 5.31 x 26.59mm  
  封装类型  PLUS264  
  高度  26.59mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  50kHz  
  宽度  5.31mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  1.04 kW  
  最大集电极-发射极电压  1200 V  
  最大连续集电极电流  164 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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