HGTG30N60B3,807-6664,Fairchild Semiconductor HGTG30N60B3 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor HGTG30N60B3 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
HGTG30N60B3
库存编号：
807-6664
Fairchild Semiconductor HGTG30N60B3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

HGTG30N60B3产品详细信息

分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor

HGTG30N60B3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.87mm  
  尺寸  15.87 x 4.82 x 20.82mm  
  封装类型  TO-247  
  高度  20.82mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  1MHz  
  宽度  4.82mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  208 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  60 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

HGTG30N60B3产品技术参数资料

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