FGPF15N60UNDF,807-0785,Fairchild Semiconductor FGPF15N60UNDF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220F封装 ,Fairchild Semiconductor
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FGPF15N60UNDF
Fairchild Semiconductor FGPF15N60UNDF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220F封装
制造商零件编号:
FGPF15N60UNDF
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0785
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FGPF15N60UNDF产品详细信息
分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor
FGPF15N60UNDF产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.36mm
尺寸
10.36 x 2.74 x 16.07mm
封装类型
TO-220F
高度
16.07mm
晶体管配置
单
开关速度
1MHz
宽度
2.74mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大功率耗散
42 W
最大集电极-发射极电压
600 V
最大连续集电极电流
30 A
最大栅极发射极电压
±20V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
FGPF15N60UNDF配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Murata Power Solutions MGJ2 系列 2W 隔离式直流-直流转换器 MGJ2D051509SC, 4.5 → 5.5 V 直流输入, -8.7 V dc, 15 V dc输出
制造商零件编号:
MGJ2D051509SC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
816-3503
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Murata Power Solutions MGJ3 系列 3W 隔离式直流-直流转换器 MGJ3T12150505MC-R7, 9 → 18 V 直流输入, 5 V, 15 V输出, 120mA输出
制造商零件编号:
MGJ3T12150505MC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
852-6799
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安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔
IGBT 晶体管 安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.36mm
Fairchild Semiconductor 长度 10.36mm
IGBT 晶体管 长度 10.36mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 长度 10.36mm
尺寸 10.36 x 2.74 x 16.07mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 10.36 x 2.74 x 16.07mm
IGBT 晶体管 尺寸 10.36 x 2.74 x 16.07mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 尺寸 10.36 x 2.74 x 16.07mm
封装类型 TO-220F
Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-220F
IGBT 晶体管 封装类型 TO-220F
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 封装类型 TO-220F
高度 16.07mm
Fairchild Semiconductor 高度 16.07mm
IGBT 晶体管 高度 16.07mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 高度 16.07mm
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 晶体管配置 单
开关速度 1MHz
Fairchild Semiconductor 开关速度 1MHz
IGBT 晶体管 开关速度 1MHz
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 开关速度 1MHz
宽度 2.74mm
Fairchild Semiconductor 宽度 2.74mm
IGBT 晶体管 宽度 2.74mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 宽度 2.74mm
通道类型 N
Fairchild Semiconductor 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 42 W
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 42 W
IGBT 晶体管 最大功率耗散 42 W
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大功率耗散 42 W
最大集电极-发射极电压 600 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 600 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 30 A
Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流 30 A
IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 30 A
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 30 A
最大栅极发射极电压 ±20V
Fairchild Semiconductor 最大栅极发射极电压 ±20V
IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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FGPF15N60UNDF产品技术参数资料
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