FGA50N100BNTDTU,807-0751,Fairchild Semiconductor FGA50N100BNTDTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1000 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor FGA50N100BNTDTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1000 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装

制造商零件编号：
FGA50N100BNTDTU
库存编号：
807-0751
Fairchild Semiconductor FGA50N100BNTDTU
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FGA50N100BNTDTU产品详细信息

分离式 IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor

FGA50N100BNTDTU产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.8mm  
  尺寸  15.8 x 5 x 20.1mm  
  封装类型  TO-3P  
  高度  20.1mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  1MHz  
  宽度  5mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  63 W  
  最大集电极-发射极电压  1000 V  
  最大连续集电极电流  50 A  
  最大栅极发射极电压  ±25V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FGA50N100BNTDTU产品技术参数资料

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