NGB8207BNT4G,805-1756,Littlefuse NGB8207BNT4G N沟道 IGBT, 20 A, Vce=365 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Littlefuse
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NGB8207BNT4G
Littlefuse NGB8207BNT4G N沟道 IGBT, 20 A, Vce=365 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号:
NGB8207BNT4G
制造商:
Littlefuse
Littlefuse
库存编号:
805-1756
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NGB8207BNT4G产品详细信息
IGBT 分立,On Semiconductor
绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT),用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。
NGB8207BNT4G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10.29mm
尺寸
10.29 x 9.65 x 4.83mm
封装类型
D2PAK
高度
4.83mm
晶体管配置
单
宽度
9.65mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大功率耗散
165 W
最大集电极-发射极电压
365 V
最大连续集电极电流
20 A
最大栅极发射极电压
±15V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
关键词
NGB8207BNT4G相关搜索
安装类型 表面贴装
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IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 10.29mm
Littlefuse 长度 10.29mm
IGBT 晶体管 长度 10.29mm
Littlefuse IGBT 晶体管 长度 10.29mm
尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm
Littlefuse 尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm
IGBT 晶体管 尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm
Littlefuse IGBT 晶体管 尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm
封装类型 D2PAK
Littlefuse 封装类型 D2PAK
IGBT 晶体管 封装类型 D2PAK
Littlefuse IGBT 晶体管 封装类型 D2PAK
高度 4.83mm
Littlefuse 高度 4.83mm
IGBT 晶体管 高度 4.83mm
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晶体管配置 单
Littlefuse 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
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宽度 9.65mm
Littlefuse 宽度 9.65mm
IGBT 晶体管 宽度 9.65mm
Littlefuse IGBT 晶体管 宽度 9.65mm
通道类型 N
Littlefuse 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
Littlefuse IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
Littlefuse 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
Littlefuse IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 165 W
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IGBT 晶体管 最大功率耗散 165 W
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最大集电极-发射极电压 365 V
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最大连续集电极电流 20 A
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IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 20 A
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最大栅极发射极电压 ±15V
Littlefuse 最大栅极发射极电压 ±15V
IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±15V
Littlefuse IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±15V
最低工作温度 -55 °C
Littlefuse 最低工作温度 -55 °C
IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Littlefuse IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +175 °C
Littlefuse 最高工作温度 +175 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C
Littlefuse IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C
邮箱:
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手机网站:
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NGB8207BNT4G产品技术参数资料
NGB8207N, NGB8207BN, Ignition IGBT, 20A, 365V, N-Channel D2PAK
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