IXDN55N120D1,804-7616,IXYS IXDN55N120D1 N沟道 IGBT, 100 A, Vce=1200 V, 1MHz, 4引脚 SOT-227B封装 ,IXYS
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IXYS IXDN55N120D1 N沟道 IGBT, 100 A, Vce=1200 V, 1MHz, 4引脚 SOT-227B封装

制造商零件编号：
IXDN55N120D1
制造商：
IXYS IXYS
库存编号：
804-7616
IXYS IXDN55N120D1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IXDN55N120D1产品详细信息

IGBT 分立，IXYS

IXDN55N120D1产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  38.2mm  
  尺寸  38.2 x 25.07 x 9.6mm  
  封装类型  SOT-227B  
  高度  9.6mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  1MHz  
  宽度  25.07mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  450 W  
  最大集电极-发射极电压  1200 V  
  最大连续集电极电流  100 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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IXDN55N120D1产品技术参数资料

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