NGB8245NT4G,802-1771,Littlefuse NGB8245NT4G N沟道 IGBT, 50 A, Vce=500 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Littlefuse
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NGB8245NT4G
Littlefuse NGB8245NT4G N沟道 IGBT, 50 A, Vce=500 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号:
NGB8245NT4G
制造商:
Littlefuse
Littlefuse
库存编号:
802-1771
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NGB8245NT4G产品详细信息
MOSFET & IGBT 驱动器,ON Semiconductor
NGB8245NT4G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
9.65mm
尺寸
9.65 x 10.29 x 4.83mm
封装类型
D2PAK
高度
4.83mm
晶体管配置
单
宽度
10.29mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大功率耗散
150 W
最大集电极-发射极电压
500 V
最大连续集电极电流
50 A
最大栅极发射极电压
500V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
关键词
NGB8245NT4G配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fischer Elektronik 银色 散热器 FK 244 08 D2 PAK, 29.3K/W, 焊接安装, 26 x 8 x 10mm
制造商零件编号:
FK 244 08 D2 PAK
品牌:
Fischer Elektronik
库存编号:
698-8105
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安装类型 表面贴装
Littlefuse 安装类型 表面贴装
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Littlefuse IGBT 晶体管 长度 9.65mm
尺寸 9.65 x 10.29 x 4.83mm
Littlefuse 尺寸 9.65 x 10.29 x 4.83mm
IGBT 晶体管 尺寸 9.65 x 10.29 x 4.83mm
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封装类型 D2PAK
Littlefuse 封装类型 D2PAK
IGBT 晶体管 封装类型 D2PAK
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高度 4.83mm
Littlefuse 高度 4.83mm
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晶体管配置 单
Littlefuse 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
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宽度 10.29mm
Littlefuse 宽度 10.29mm
IGBT 晶体管 宽度 10.29mm
Littlefuse IGBT 晶体管 宽度 10.29mm
通道类型 N
Littlefuse 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
Littlefuse IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
Littlefuse 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
Littlefuse IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 150 W
Littlefuse 最大功率耗散 150 W
IGBT 晶体管 最大功率耗散 150 W
Littlefuse IGBT 晶体管 最大功率耗散 150 W
最大集电极-发射极电压 500 V
Littlefuse 最大集电极-发射极电压 500 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 500 V
Littlefuse IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 500 V
最大连续集电极电流 50 A
Littlefuse 最大连续集电极电流 50 A
IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 50 A
Littlefuse IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 50 A
最大栅极发射极电压 500V
Littlefuse 最大栅极发射极电压 500V
IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 500V
Littlefuse IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 500V
最低工作温度 -55 °C
Littlefuse 最低工作温度 -55 °C
IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +175 °C
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NGB8245NT4G产品技术参数资料
NGB8245N Ignition IGBT
PCN - Littelfuse Acquisition of ON Semiconductor TVS Diode, Thyristor and Ignition IGBT Portfolio
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