NGTG20N60L2TF1G,801-6804,ON Semiconductor NGTG20N60L2TF1G N沟道 IGBT, 105（脉冲）A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PF封装 ,ON Semiconductor
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NGTG20N60L2TF1G
ON Semiconductor NGTG20N60L2TF1G N沟道 IGBT, 105（脉冲）A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PF封装
制造商零件编号：
NGTG20N60L2TF1G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
801-6804
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NGTG20N60L2TF1G产品详细信息
IGBT 分立，On Semiconductor
绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。
NGTG20N60L2TF1G产品技术参数
安装类型
通孔
长度
15.5mm
尺寸
15.5 x 5.5 x 26.5mm
封装类型
TO-3PF
高度
26.5mm
晶体管配置
单
宽度
5.5mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大功率耗散
64 W
最大集电极-发射极电压
600 V
最大连续集电极电流
105（脉冲）A
最大栅极发射极电压
±20V
最高工作温度
+150 °C
关键词
NGTG20N60L2TF1G配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Murata Power Solutions MGJ2 系列 2W 隔离式直流-直流转换器 MGJ2D051509SC, 4.5 → 5.5 V 直流输入, -8.7 V dc, 15 V dc输出
制造商零件编号：
MGJ2D051509SC
品牌：
Murata Power Solutions
库存编号：
816-3503
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Murata Power Solutions MGJ3 系列 3W 隔离式直流-直流转换器 MGJ3T12150505MC-R7, 9 → 18 V 直流输入, 5 V, 15 V输出, 120mA输出
制造商零件编号：
MGJ3T12150505MC
品牌：
Murata Power Solutions
库存编号：
852-6799
查看其他仓库
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安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
IGBT 晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor IGBT 晶体管 安装类型 通孔
长度 15.5mm
ON Semiconductor 长度 15.5mm
IGBT 晶体管 长度 15.5mm
ON Semiconductor IGBT 晶体管 长度 15.5mm
尺寸 15.5 x 5.5 x 26.5mm
ON Semiconductor 尺寸 15.5 x 5.5 x 26.5mm
IGBT 晶体管 尺寸 15.5 x 5.5 x 26.5mm
ON Semiconductor IGBT 晶体管 尺寸 15.5 x 5.5 x 26.5mm
封装类型 TO-3PF
ON Semiconductor 封装类型 TO-3PF
IGBT 晶体管 封装类型 TO-3PF
ON Semiconductor IGBT 晶体管 封装类型 TO-3PF
高度 26.5mm
ON Semiconductor 高度 26.5mm
IGBT 晶体管 高度 26.5mm
ON Semiconductor IGBT 晶体管 高度 26.5mm
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor IGBT 晶体管 晶体管配置 单
宽度 5.5mm
ON Semiconductor 宽度 5.5mm
IGBT 晶体管 宽度 5.5mm
ON Semiconductor IGBT 晶体管 宽度 5.5mm
通道类型 N
ON Semiconductor 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
ON Semiconductor IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 64 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 64 W
IGBT 晶体管 最大功率耗散 64 W
ON Semiconductor IGBT 晶体管 最大功率耗散 64 W
最大集电极-发射极电压 600 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 600 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
ON Semiconductor IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 105（脉冲）A
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 105（脉冲）A
IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 105（脉冲）A
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最大栅极发射极电压 ±20V
ON Semiconductor 最大栅极发射极电压 ±20V
IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
ON Semiconductor IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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NGTG20N60L2TF1G产品技术参数资料
Datasheet
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