GT60PR21,STA1F(S,799-4889,Toshiba GT60PR21,STA1F(S N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1100 V, 3引脚 TO-3PN封装 ,Toshiba
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GT60PR21,STA1F(S
Toshiba GT60PR21,STA1F(S N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1100 V, 3引脚 TO-3PN封装
制造商零件编号:
GT60PR21,STA1F(S
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
799-4889
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
GT60PR21,STA1F(S产品详细信息
IGBT 分立,Toshiba
GT60PR21,STA1F(S产品技术参数
安装类型
通孔
长度
15.5mm
尺寸
15.5 x 4.5 x 20mm
封装类型
TO-3PN
高度
20mm
晶体管配置
单
宽度
4.5mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大功率耗散
333 W
最大集电极-发射极电压
1100 V
最大连续集电极电流
60 A
最大栅极发射极电压
±25V
最高工作温度
+175 °C
关键词
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尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm
Toshiba 尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm
IGBT 晶体管 尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm
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封装类型 TO-3PN
Toshiba 封装类型 TO-3PN
IGBT 晶体管 封装类型 TO-3PN
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高度 20mm
Toshiba 高度 20mm
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晶体管配置 单
Toshiba 晶体管配置 单
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宽度 4.5mm
Toshiba 宽度 4.5mm
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通道类型 N
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IGBT 晶体管 通道类型 N
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引脚数目 3
Toshiba 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
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最大功率耗散 333 W
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IGBT 晶体管 最大功率耗散 333 W
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最大集电极-发射极电压 1100 V
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最大连续集电极电流 60 A
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最大栅极发射极电压 ±25V
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IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±25V
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最高工作温度 +175 °C
Toshiba 最高工作温度 +175 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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GT60PR21,STA1F(S产品技术参数资料
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