GT30J341,Q(O,799-4867,Toshiba GT30J341,Q(O N沟道 IGBT, 59 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PN封装 ,Toshiba
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Toshiba GT30J341,Q(O N沟道 IGBT, 59 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PN封装

制造商零件编号：
GT30J341,Q(O
制造商：
Toshiba Toshiba
库存编号：
799-4867
Toshiba GT30J341,Q(O
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

GT30J341,Q(O产品详细信息

IGBT 分立，Toshiba

GT30J341,Q(O产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.5mm  
  尺寸  15.5 x 4.5 x 20mm  
  封装类型  TO-3PN  
  高度  20mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.5mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  230 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  59 A  
  最大栅极发射极电压  ±25V  
  最高工作温度  +175 °C  
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电话:400-900-3095
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GT30J341,Q(O产品技术参数资料

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