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安装类型	通孔
长度	15.9mm
尺寸	15.9 x 4.8 x 20mm
封装类型	TO-3P
高度	20mm
晶体管配置	单
开关速度	1MHz
宽度	4.8mm
通道类型	N
引脚数目	3
最大功率耗散	170 W
最大集电极-发射极电压	600 V
最大连续集电极电流	30 A
最大栅极发射极电压	±20V
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• GT30J121, Silicon N-Channel IGBT Data Sheet