GT20J341,796-5055,Toshiba GT20J341 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 100kHz, 3引脚 TO-220SIS封装 ,Toshiba
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GT20J341
Toshiba GT20J341 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 100kHz, 3引脚 TO-220SIS封装
制造商零件编号:
GT20J341
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
796-5055
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
GT20J341产品详细信息
IGBT 分立,Toshiba
GT20J341产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10mm
尺寸
10 x 4.5 x 15mm
封装类型
TO-220SIS
高度
15mm
晶体管配置
单
开关速度
100kHz
宽度
4.5mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大功率耗散
45 W
最大集电极-发射极电压
600 V
最大连续集电极电流
20 A
最大栅极发射极电压
±25V
最高工作温度
+150 °C
关键词
GT20J341配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Bergquist Sil-Pad K6 电子散热垫 SPK6-0.006-00-54, 1.1W/m·K, 19.05 x 12.7mm, 0.152mm厚
制造商零件编号:
SPK6-0.006-00-54
品牌:
Bergquist
库存编号:
707-3355
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IGBT 晶体管 尺寸 10 x 4.5 x 15mm
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封装类型 TO-220SIS
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晶体管配置 单
Toshiba 晶体管配置 单
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开关速度 100kHz
Toshiba 开关速度 100kHz
IGBT 晶体管 开关速度 100kHz
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宽度 4.5mm
Toshiba 宽度 4.5mm
IGBT 晶体管 宽度 4.5mm
Toshiba IGBT 晶体管 宽度 4.5mm
通道类型 N
Toshiba 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
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引脚数目 3
Toshiba 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
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最大功率耗散 45 W
Toshiba 最大功率耗散 45 W
IGBT 晶体管 最大功率耗散 45 W
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最大集电极-发射极电压 600 V
Toshiba 最大集电极-发射极电压 600 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
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最大连续集电极电流 20 A
Toshiba 最大连续集电极电流 20 A
IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 20 A
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最大栅极发射极电压 ±25V
Toshiba 最大栅极发射极电压 ±25V
IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±25V
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最高工作温度 +150 °C
Toshiba 最高工作温度 +150 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Toshiba IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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GT20J341产品技术参数资料
GT20J341, Silicon N-Channel IGBT Data Sheet
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