NGTB30N120L2WG,796-1340,ON Semiconductor NGTB30N120L2WG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装 ,ON Semiconductor
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NGTB30N120L2WG
ON Semiconductor NGTB30N120L2WG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
制造商零件编号：
NGTB30N120L2WG
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
796-1340
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NGTB30N120L2WG产品详细信息
IGBT 分立，On Semiconductor
绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。
NGTB30N120L2WG产品技术参数
安装类型
通孔
长度
16.25mm
尺寸
16.25 x 5.3 x 21.4mm
封装类型
TO-247
高度
21.4mm
晶体管配置
单
开关速度
1MHz
宽度
5.3mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大功率耗散
534 W
最大集电极-发射极电压
1200 V
最大连续集电极电流
60 A
最大栅极发射极电压
±20V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
关键词
NGTB30N120L2WG配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Murata Power Solutions MGJ2 系列 2W 隔离式直流-直流转换器 MGJ2D051509SC, 4.5 → 5.5 V 直流输入, -8.7 V dc, 15 V dc输出
制造商零件编号：
MGJ2D051509SC
品牌：
Murata Power Solutions
库存编号：
816-3503
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Murata Power Solutions MGJ3 系列 3W 隔离式直流-直流转换器 MGJ3T12150505MC-R7, 9 → 18 V 直流输入, 5 V, 15 V输出, 120mA输出
制造商零件编号：
MGJ3T12150505MC
品牌：
Murata Power Solutions
库存编号：
852-6799
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安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
IGBT 晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor IGBT 晶体管 安装类型 通孔
长度 16.25mm
ON Semiconductor 长度 16.25mm
IGBT 晶体管 长度 16.25mm
ON Semiconductor IGBT 晶体管 长度 16.25mm
尺寸 16.25 x 5.3 x 21.4mm
ON Semiconductor 尺寸 16.25 x 5.3 x 21.4mm
IGBT 晶体管 尺寸 16.25 x 5.3 x 21.4mm
ON Semiconductor IGBT 晶体管 尺寸 16.25 x 5.3 x 21.4mm
封装类型 TO-247
ON Semiconductor 封装类型 TO-247
IGBT 晶体管 封装类型 TO-247
ON Semiconductor IGBT 晶体管 封装类型 TO-247
高度 21.4mm
ON Semiconductor 高度 21.4mm
IGBT 晶体管 高度 21.4mm
ON Semiconductor IGBT 晶体管 高度 21.4mm
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor IGBT 晶体管 晶体管配置 单
开关速度 1MHz
ON Semiconductor 开关速度 1MHz
IGBT 晶体管 开关速度 1MHz
ON Semiconductor IGBT 晶体管 开关速度 1MHz
宽度 5.3mm
ON Semiconductor 宽度 5.3mm
IGBT 晶体管 宽度 5.3mm
ON Semiconductor IGBT 晶体管 宽度 5.3mm
通道类型 N
ON Semiconductor 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
ON Semiconductor IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 534 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 534 W
IGBT 晶体管 最大功率耗散 534 W
ON Semiconductor IGBT 晶体管 最大功率耗散 534 W
最大集电极-发射极电压 1200 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 1200 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 1200 V
ON Semiconductor IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 1200 V
最大连续集电极电流 60 A
ON Semiconductor 最大连续集电极电流 60 A
IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 60 A
ON Semiconductor IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 60 A
最大栅极发射极电压 ±20V
ON Semiconductor 最大栅极发射极电压 ±20V
IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
ON Semiconductor IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +175 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +175 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C
ON Semiconductor IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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NGTB30N120L2WG产品技术参数资料
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