STGW80V60DF,792-5827,STMicroelectronics STGW80V60DF N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STGW80V60DF N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
STGW80V60DF
库存编号：
792-5827
STMicroelectronics STGW80V60DF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STGW80V60DF产品详细信息

IGBT 分立，STMicroelectronics

STGW80V60DF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.75mm  
  尺寸  15.75 x 5.15 x 20.15mm  
  封装类型  TO-247  
  高度  20.15mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.15mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  469 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  120 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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