STGW80H65DFB,792-5814,STMicroelectronics STGW80H65DFB N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STGW80H65DFB N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
STGW80H65DFB
库存编号：
792-5814
STMicroelectronics STGW80H65DFB
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STGW80H65DFB
库存编号:497-14368-ND		 STMicroelectronics IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-2470
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30+
120+
510+
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STGW80H65DFB-4
库存编号:STGW80H65DFB-4-ND		 STMicroelectronics IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-2470
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STGW80H65DFB-4
库存编号:511-STGW80H65DFB-4		 STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT309
1起订		1+
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STGW80H65DFB
库存编号:511-STGW80H65DFB		 STMicroelectronics IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A0
1起订		1+
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250+
600+
￥77.18
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STGW80H65DFB
库存编号:STGW80H65DFB		 STMicroelectronics Semiconductors596
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STGW80H65DFB
库存编号:STGW80H65DFB		 STMicroelectronics Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube - Rail/Tube (Alt: STGW80H65DFB)0
600起订		600+
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STGW80H65DFB
库存编号:STGW80H65DFB-4		 STMicroelectronics Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube - Rail/Tube (Alt: STGW80H65DFB-4)0
600起订		600+
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STGW80H65DFB
库存编号:2807180		 STMicroelectronics , IGBT, , 650V, 120A, TO-2472781
1起订		1+
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STGW80H65DFB
库存编号:STGW80H65DFB		 STMicroelectronics Transistor: IGBT, 650V, 80A, 470W, TO247-3175
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STGW80H65DFB-4
库存编号:STGW80H65DFB-4		 STMicroelectronics Transistor: IGBT, 650V, 80A, 470W, TO247-40
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STGW80H65DFB STMicroelectronics INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-CHANNEL2
1起订		1+
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￥156.08
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STGW80H65DFB产品详细信息

IGBT 分立，STMicroelectronics

STGW80H65DFB产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.75mm  
  尺寸  15.75 x 5.15 x 20.15mm  
  封装类型  TO-247  
  高度  20.15mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.15mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  469 W  
  最大集电极-发射极电压  650 V  
  最大连续集电极电流  120 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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STGW80H65DFB相关搜索

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型号 制造商 描述 操作
STGW80H65DFB
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IGBT 650V 120A 469W TO-247

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STGW80H65DFB-4
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IGBT BIPO 650V 80A TO247

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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STGW80H65DFB
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IGBT Transistors Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A

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IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar

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STGW80H65DFB
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: STGW80H65DFB)

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube - Rail/Tube (Alt: STGW80H65DFB-4)

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STGW80H65DFB
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube - Rail/Tube (Alt: STGW80H65DFB)

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STGW80H65DFB
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IGBT, SINGLE, 650V, 120A, TO-247

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

STMicroelectronics - STGW80H65DFB - IGBT 650V 120A 469W TO-247		STMicroelectronics
IGBT 650V 120A 469W TO-247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247

型号：STGW80H65DFB
仓库库存编号：497-14368-ND
别名：497-14368 <br>

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STMicroelectronics - STGW80H65DFB-4 - IGBT BIPO 650V 80A TO247		STMicroelectronics
IGBT BIPO 650V 80A TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247-4L

型号：STGW80H65DFB-4
仓库库存编号：STGW80H65DFB-4-ND

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

STMicroelectronics - STGW80H65DFB - STMicroelectronics STGW80H65DFB N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
制造商零件编号：
STGW80H65DFB
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
792-5814
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无图STGW80H65DFB
STMicroelectronics		IGBT 650V 120A 469W TO-247
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无图STGW80H65DFB-4
STMicroelectronics		IGBT BIPO 650V 80A TO247
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