STGP20V60F,791-9364,STMicroelectronics STGP20V60F N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装 ,STMicroelectronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

STMicroelectronics STGP20V60F N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
STGP20V60F
库存编号：
791-9364
STMicroelectronics STGP20V60F
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STGP20V60F产品详细信息

IGBT 分立，STMicroelectronics

STGP20V60F产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 4.6 x 15.75mm  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.75mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  1MHz  
  宽度  4.6mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  167 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  40 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
关键词         

STGP20V60F关联产品

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

STGP20V60F相关搜索

安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  STMicroelectronics IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.4mm  STMicroelectronics 长度 10.4mm  IGBT 晶体管 长度 10.4mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 长度 10.4mm   尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm  STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm  IGBT 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm   封装类型 TO-220  STMicroelectronics 封装类型 TO-220  IGBT 晶体管 封装类型 TO-220  STMicroelectronics IGBT 晶体管 封装类型 TO-220   高度 15.75mm  STMicroelectronics 高度 15.75mm  IGBT 晶体管 高度 15.75mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 高度 15.75mm   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics IGBT 晶体管 晶体管配置 单   开关速度 1MHz  STMicroelectronics 开关速度 1MHz  IGBT 晶体管 开关速度 1MHz  STMicroelectronics IGBT 晶体管 开关速度 1MHz   宽度 4.6mm  STMicroelectronics 宽度 4.6mm  IGBT 晶体管 宽度 4.6mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 宽度 4.6mm   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics IGBT 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 167 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 167 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 167 W  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大功率耗散 167 W   最大集电极-发射极电压 600 V  STMicroelectronics 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 40 A  STMicroelectronics 最大连续集电极电流 40 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 40 A  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 40 A   最大栅极发射极电压 ±20V  STMicroelectronics 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +175 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

STGP20V60F产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号