STGWT60V60DF,791-7677,STMicroelectronics STGWT60V60DF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装 ,STMicroelectronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

STMicroelectronics STGWT60V60DF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装

制造商零件编号：
STGWT60V60DF
库存编号：
791-7677
STMicroelectronics STGWT60V60DF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STGWT60V60DF产品详细信息

IGBT 分立，STMicroelectronics

STGWT60V60DF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.7mm  
  尺寸  15.7 x 5.7 x 26.7mm  
  封装类型  TO-3P  
  高度  26.7mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  1MHz  
  宽度  5.7mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  375 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  60 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
关键词         

STGWT60V60DF相关搜索

安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  STMicroelectronics IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.7mm  STMicroelectronics 长度 15.7mm  IGBT 晶体管 长度 15.7mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 长度 15.7mm   尺寸 15.7 x 5.7 x 26.7mm  STMicroelectronics 尺寸 15.7 x 5.7 x 26.7mm  IGBT 晶体管 尺寸 15.7 x 5.7 x 26.7mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 尺寸 15.7 x 5.7 x 26.7mm   封装类型 TO-3P  STMicroelectronics 封装类型 TO-3P  IGBT 晶体管 封装类型 TO-3P  STMicroelectronics IGBT 晶体管 封装类型 TO-3P   高度 26.7mm  STMicroelectronics 高度 26.7mm  IGBT 晶体管 高度 26.7mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 高度 26.7mm   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics IGBT 晶体管 晶体管配置 单   开关速度 1MHz  STMicroelectronics 开关速度 1MHz  IGBT 晶体管 开关速度 1MHz  STMicroelectronics IGBT 晶体管 开关速度 1MHz   宽度 5.7mm  STMicroelectronics 宽度 5.7mm  IGBT 晶体管 宽度 5.7mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管 宽度 5.7mm   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics IGBT 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 375 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 375 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 375 W  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大功率耗散 375 W   最大集电极-发射极电压 600 V  STMicroelectronics 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 60 A  STMicroelectronics 最大连续集电极电流 60 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 60 A  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 60 A   最大栅极发射极电压 ±20V  STMicroelectronics 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +175 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  STMicroelectronics IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号