STGWT30V60DF,791-7661,STMicroelectronics STGWT30V60DF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STGWT30V60DF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装

制造商零件编号：
STGWT30V60DF
库存编号：
791-7661
STMicroelectronics STGWT30V60DF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STGWT30V60DF产品详细信息

IGBT 分立，STMicroelectronics

STGWT30V60DF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.7mm  
  尺寸  15.7 x 5.7 x 26.7mm  
  封装类型  TO-3P  
  高度  26.7mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  1MHz  
  宽度  5.7mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  258 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  60 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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