IRGR4045DPBF,787-1130,Infineon IRGR4045DPBF N沟道 IGBT, 6 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 DPAK封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon IRGR4045DPBF N沟道 IGBT, 6 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：
IRGR4045DPBF
库存编号：
787-1130
Infineon IRGR4045DPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRGR4045DPBF产品详细信息

Co-Pack IGBT 高达 20A，Infineon

Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。

IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置

IRGR4045DPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 2.39 x 6.22mm  
  封装类型  DPAK  
  高度  6.22mm  
  开关速度  1MHz  
  宽度  2.39mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  77 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  6 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
关键词         

IRGR4045DPBF相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  Infineon 长度 6.73mm  IGBT 晶体管 长度 6.73mm  Infineon IGBT 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 2.39 x 6.22mm  Infineon 尺寸 6.73 x 2.39 x 6.22mm  IGBT 晶体管 尺寸 6.73 x 2.39 x 6.22mm  Infineon IGBT 晶体管 尺寸 6.73 x 2.39 x 6.22mm   封装类型 DPAK  Infineon 封装类型 DPAK  IGBT 晶体管 封装类型 DPAK  Infineon IGBT 晶体管 封装类型 DPAK   高度 6.22mm  Infineon 高度 6.22mm  IGBT 晶体管 高度 6.22mm  Infineon IGBT 晶体管 高度 6.22mm   开关速度 1MHz  Infineon 开关速度 1MHz  IGBT 晶体管 开关速度 1MHz  Infineon IGBT 晶体管 开关速度 1MHz   宽度 2.39mm  Infineon 宽度 2.39mm  IGBT 晶体管 宽度 2.39mm  Infineon IGBT 晶体管 宽度 2.39mm   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 77 W  Infineon 最大功率耗散 77 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 77 W  Infineon IGBT 晶体管 最大功率耗散 77 W   最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 6 A  Infineon 最大连续集电极电流 6 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 6 A  Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 6 A   最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号