FGH75T65UPD,774-1067,Fairchild Semiconductor FGH75T65UPD IGBT, 75 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AB封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor FGH75T65UPD IGBT, 75 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AB封装

制造商零件编号：
FGH75T65UPD
库存编号：
774-1067
Fairchild Semiconductor FGH75T65UPD
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FGH75T65UPD产品详细信息

分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor

FGH75T65UPD产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.87mm  
  尺寸  15.87 x 4.82 x 20.82mm  
  封装类型  TO-247AB  
  高度  20.82mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  1MHz  
  宽度  4.82mm  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  375 W  
  最大集电极-发射极电压  650 V  
  最大连续集电极电流  75 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
关键词         

FGH75T65UPD相关搜索

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.87mm  Fairchild Semiconductor 长度 15.87mm  IGBT 晶体管 长度 15.87mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 长度 15.87mm   尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm  IGBT 晶体管 尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm   封装类型 TO-247AB  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-247AB  IGBT 晶体管 封装类型 TO-247AB  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 封装类型 TO-247AB   高度 20.82mm  Fairchild Semiconductor 高度 20.82mm  IGBT 晶体管 高度 20.82mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 高度 20.82mm   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 晶体管配置 单   开关速度 1MHz  Fairchild Semiconductor 开关速度 1MHz  IGBT 晶体管 开关速度 1MHz  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 开关速度 1MHz   宽度 4.82mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.82mm  IGBT 晶体管 宽度 4.82mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 宽度 4.82mm   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 375 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 375 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 375 W  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大功率耗散 375 W   最大集电极-发射极电压 650 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 650 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 650 V  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 650 V   最大连续集电极电流 75 A  Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流 75 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 75 A  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 75 A   最大栅极发射极电压 ±20V  Fairchild Semiconductor 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FGH75T65UPD产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号