FGAF40N60UFDTU,759-9759,Fairchild Semiconductor FGAF40N60UFDTU N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PF封装 ,Fairchild Semiconductor
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FGAF40N60UFDTU
Fairchild Semiconductor FGAF40N60UFDTU N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PF封装
制造商零件编号:
FGAF40N60UFDTU
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9759
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FGAF40N60UFDTU产品详细信息
分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor
FGAF40N60UFDTU产品技术参数
安装类型
通孔
长度
15.5mm
尺寸
15.5 x 5.5 x 26.5mm
封装类型
TO-3PF
高度
26.5mm
晶体管配置
单
宽度
5.5mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大功率耗散
100 W
最大集电极-发射极电压
600 V
最大连续集电极电流
40 A
最大栅极发射极电压
±20V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
FGAF40N60UFDTU配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Bergquist Sil-Pad 400 电子散热垫 SP400-0.007-00-122, 0.9W/m·K, 28.96 x 20.57mm, 0.178mm厚
制造商零件编号:
SP400-0.007-00-122
品牌:
Bergquist
库存编号:
283-3638
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Sensitec 电流传感器 CMS2050-SP3, 50 A输入 磁阻
制造商零件编号:
CMS2050-SP3
品牌:
Sensitec
库存编号:
763-9807
搜索
Murata Power Solutions MGJ2 系列 2W 隔离式直流-直流转换器 MGJ2D051509SC, 4.5 → 5.5 V 直流输入, -8.7 V dc, 15 V dc输出
制造商零件编号:
MGJ2D051509SC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
816-3503
查看其他仓库
Murata Power Solutions MGJ3 系列 3W 隔离式直流-直流转换器 MGJ3T12150505MC-R7, 9 → 18 V 直流输入, 5 V, 15 V输出, 120mA输出
制造商零件编号:
MGJ3T12150505MC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
852-6799
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FGAF40N60UFDTU关联产品
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Nuvotem Talema 50A 电流互感器 CT ACX-1050, 2500:1匝数比
制造商零件编号:
ACX-1050
品牌:
Nuvotem Talema
库存编号:
775-4934
搜索
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安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔
IGBT 晶体管 安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 安装类型 通孔
长度 15.5mm
Fairchild Semiconductor 长度 15.5mm
IGBT 晶体管 长度 15.5mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 长度 15.5mm
尺寸 15.5 x 5.5 x 26.5mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 15.5 x 5.5 x 26.5mm
IGBT 晶体管 尺寸 15.5 x 5.5 x 26.5mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 尺寸 15.5 x 5.5 x 26.5mm
封装类型 TO-3PF
Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-3PF
IGBT 晶体管 封装类型 TO-3PF
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 封装类型 TO-3PF
高度 26.5mm
Fairchild Semiconductor 高度 26.5mm
IGBT 晶体管 高度 26.5mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 高度 26.5mm
晶体管配置 单
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IGBT 晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 晶体管配置 单
宽度 5.5mm
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通道类型 N
Fairchild Semiconductor 通道类型 N
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引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 100 W
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 100 W
IGBT 晶体管 最大功率耗散 100 W
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最大集电极-发射极电压 600 V
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IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
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最大连续集电极电流 40 A
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IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 40 A
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最大栅极发射极电压 ±20V
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最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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FGAF40N60UFDTU产品技术参数资料
FGAF40N60UFD, Ultrafast IGBT 600V 20A
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